新生兒驚厥疾病病因
一、病因：
隨著診斷技術的進步，新生兒驚厥的病因學不斷充實，近年來缺氧缺血性腦病(HIE)已躍居病因的首位，而感染和代謝因素的比重較早年有所下降，引起新生兒驚厥的病因很多，根據發生率遞減分9類，以前4類最常見。
1.圍生期並發症：HIE，顱內出血，腦損傷。
2.感染：各種病原體所致腦膜炎，腦炎，腦膿腫，感染中毒性腦病，破傷風，高熱。
3.代謝因素：低血鈣，低血鎂，低血鈉，高血鈉，低血糖，堿中毒，維生素B6缺乏症，核黃疸，尿毒症。
4.腦缺氧：肺透明膜病，胎糞吸入綜合征，肺出血，急性心源性腦缺血綜合征，高血壓，紅細胞增多症，捂熱綜合征。
5.顱腦異常：先天性腦發育不良，顱腦畸形，顱內腫瘤。
6.先天性酶缺陷：楓糖尿病，尿素循環障礙，高甘氨酸血症，丙酸血症，甲基丙二酸血症，異戊酸血症，半乳糖血症，維生素B6依賴症。
7.家族性：良性家族性癲癇，腎上腺白質萎縮，神經皮膚綜合征，Zellwegen綜合征，Smith-Lemli-Opitz綜合征。
8.藥物：興奮劑，異煙肼，氨茶堿，局麻藥，有機磷，撤藥綜合征。
9.原因不明：約占新生兒驚厥的3%。
值得注意的是，有的患兒可同時有多種病，如缺氧缺血性腦病可合並低鈣血症，低鎂血症或低鈉血症等。
二、發病機製：
新生兒驚厥的發生率高，而且其表現形式和腦電圖方麵也與成人和兒童有很大不同，與新生兒中樞神經係統發育尚不成熟，易受各種病理因素的刺激而產生異常放電，和在大腦皮質受損處於高度抑製狀態時，又易出現皮質下中樞異常放電或腦幹釋放現象(brain stem release phenomena)有關，同時，新生兒大腦皮質的分層及神經元的胞膜，胞漿分化不全，樹突，突觸，髓鞘的形成亦不完善，神經元與神經膠質之間的正常聯係尚未建立，當皮質局部出現異常放電時，不易向鄰近部位傳導和擴散，更不易擴散至對側半球引起同步放電，故新生兒驚厥時全身強直性的抽搐很少見。
驚厥發作需要一群神經元的同步放電，即興奮的神經元的數量需要達到一定的閾值，新生兒大腦皮質神經元的細胞膜的通透性較強，鈉離子易進入，鉀離子易漏出，而膜的鈉鉀泵功能和ATP水平明顯低於成熟的神經元，不易迅速有效地泵出鈉離子又重新極化，而處於相對的高極化狀態，較難產生迅速的重複放電和引起附近神經元的同步放電，故新生兒期皮質性驚厥相對少見，有時僅少數神經元放電，未達到引起臨床驚厥的閾值，構成僅有腦電圖異常放電而無臨床驚厥表現的亞臨床型。
新生兒大腦顳葉和間腦，腦幹，邊緣係統，海馬，黑質，網狀激活係統等皮質下結構發育比較成熟，其氧化代謝較大腦更旺盛，對缺氧最敏感，在各種病理因素刺激下，甚易出現皮質下驚厥，表現為陣發性的口，頰，眼皮的微小抽動，凝視，眼球的異常運動，和自主神經性發作如流涎，瞳孔，麵色，呼吸，心率和血壓的改變等，皮質下驚厥的發作機製，可能源於皮質下灰質的異常放電，這種深部的異常放電，腦電圖的頭皮電極不能發現;或源於大腦受損處於高度抑製狀態時的腦幹釋放現象，臨床上60%～90%的驚厥患兒無皮質的異常放電，故腦電圖的陽性發現有助確診，未見異常放電不能否定驚厥。
